三星3GAP 3NM工艺将于2023年开始量产

时间:2021-07-13 10:36:19来源:
导读在先进的半导体技术方面,台积电和三星走在了前列。然而,近年来,三星显然已经跟不上。不仅新工艺的量产迟缓和延迟,性能和客户规模也远远

在先进的半导体技术方面,台积电和三星走在了前列。然而,近年来,三星显然已经跟不上。不仅新工艺的量产迟缓和延迟,性能和客户规模也远远落后于竞争对手。在2021中国IP与定制芯片生态大会上,三星公布了新的工艺路线图。路线图显示,其3GAP 3nm工艺要到2023年才会开始量产。不过,台积电此后宣布将在明年下半年量产自己的3nm工艺。

此前三星的声明显示,将在2022年量产3nm。不过,该公司一直在谈论3GAE版本,即3nm Gate-all-around Early。这个版本基本上是3nm工艺的初始或早期版本。尽管如此,3GAP 路线图指的是 3nm 全能栅极+。这是3nm工艺的增强版,性能自然更好。这个最新公告是否意味着三星将取消 3GAE 版本?好吧,它可能已经决定直接进入 3GAP。不过,三星发言人重申,该公司一直在与客户讨论 3GAE 流程。此外,他声称 3GAE 的量产将于 2022 年开始。

从这个角度来看,最有可能的可能是3GAE工艺还在,只是没有被外部客户采用。三星要么将其用于实验(有点贵),要么仅用于个人用途(三星的 LSI 部门)。

标签:三星3GAP3NM
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