导读 周一在SK海力士高管作了主题演讲的IEEE国际可靠性物理研讨会(IRP)中的，他们分享了他们对公司的中期和长期的技术目标愿景。SK Hynix相信，
周一在SK海力士高管作了主题演讲的IEEE国际可靠性物理研讨会(IRP)中的，他们分享了他们对公司的中期和长期的技术目标愿景。SK Hynix相信，通过将层数增加到600层以上，可以继续提高其3D NAND芯片的容量。此外，该公司有信心借助极紫外(EUV)光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下。最终，SK Hynix希望将内存和逻辑融合到一台设备中，以应对新出现的工作负载。
SK Hynix首席执行官Seok-Hee Lee说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。”“如果以此为基础成功地创新平台，那么将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺并在600层以上的NAND上进行堆叠。”
3D NAND的未来：600层及数量
在性能和可扩展性方面，事实证明3D NAND是一种非常高效的体系结构，因此SK Hynix将在未来几年内继续使用它。早在2020年12月，SK Hynix推出了具有1.60 Gbps接口的176层“ 4D” 3D NAND存储器。该公司已经开始与SSD控制器制造商一起采样512Gb 176层芯片，因此预计在2022年有时会基于新型3D NAND存储器进行驱动。