SK Hynix宣布了其176层NAND闪存芯片，这些NAND芯片有所不同，因为它们使用Cell下的Peripheral设计而不是传统设计。这种设计可最大限度地提高生产效率，同时减小NAND裸片的尺寸。SK海力士已于11月向控制器公司提供样品，以创建解决方案产品。
SK Hynix的176层NAND闪存芯片是其4D NAND闪存芯片系列的最新一代
SK Hynix从其96层NAND闪存产品开始，一直到其176层NAND闪存芯片，一直在促进和发展其4D技术。176层NAND芯片是SK Hynix的4D技术的第三代产品，可确保这些NAND芯片具有业界最佳的每片晶圆数量。
SK Hynix NAND开发负责人Jung Dal Choi表示：“ NAND闪存行业正在努力改善技术，以实现高集成度和最高生产率，同时，SK Hynix作为4D NAND的先驱，将领导NAND闪存市场拥有业界最高的生产力和技术。”
第三代SK Hynix的4D技术可提高位生产率，单元读取速度和数据传输速度。176层NAND闪存芯片采用2分区单元阵列选择技术，可提高单元的读取速度。这项技术将存储单元分为两部分，由于调用具有较低的电阻，因此读取速度更快。
176层NAND闪存芯片通过采用加速技术而不会增加处理数量，从而将数据传输速度提高了33%。这种加速技术可确保数据请求调用快速响应所请求的数据。最新一代的SK Hynix NAND闪存芯片可确保超精密对准技术。此技术可确保堆栈之间的电流稳定并确保可靠的性能。这项技术可以实时自动校正孔的位置和大小。
SK海力士还表示，未来4D NAND闪存芯片的目标包括开发一种基于176层4D NAND技术的Terabit产品。SK Hynix是第二家实现176层NAND芯片的公司，美光宣布176L NAND开始以Crucial品牌的产品发售。