在处理器制造商中，基础和应用研发工作从未停止，因此，现在台积电已经为其 N2(2 纳米级)制造工艺概述了时间表，该工艺将于 2025 年进入大批量制造(HVM)，现在是公司开始考虑下一个节点的时候了。如果要相信新的传闻，台积电将于 6 月正式宣布其 1.4 纳米级技术。
据Business Korea报道，台积电计划在 6 月将开发其 N3(3 纳米级)节点的团队重新分配到开发其 1.4 纳米级制造工艺 。通常，代工厂和芯片设计师从不正式宣布研发里程碑，因此我们不太可能看到台积电新闻稿称其 1.4 纳米技术的开发已经开始。与此同时，台积电将在 6 月中旬举办 技术研讨会 ，届时该公司可能会概述一些有关将接替其 N2 制造工艺的节点的简要细节。
标准工艺技术设计流程包括寻路、研发阶段。寻路涉及诸如对材料和物理的基本探索之类的事情，并且在许多情况下，它是同时为多个节点执行的。到目前为止，台积电 N2 的寻路工作可能已经结束，因此专门从事基础物理和化学的适当团队正在研究 N2 的后续产品，它可能被称为 1.4 纳米或 14 埃。
台积电的 N2 依赖于全栅场效应晶体管 (GAAFET)，但将使用现有的具有 0.33 数值孔径 (0.33 NA) 的极紫外 (EUV) 光刻技术。鉴于我们今天了解的有关台积电 N2 的详细信息，它的继任者可能会保留 GAA 晶体管，但真正有待观察的是它是否会转向具有 0.55 NA(或高 NA)的 EUV 工具。
请记住，台积电的 N2 将于 2025 年底进入 HVM(因此预计该公司的首批 2 纳米芯片将在 2026 年左右交付)以及台积电两年半至三年的节点引入节奏，我们可以预期台积电的1.4 纳米(或 14 埃)工艺将从 2028 年开始用于商业产品。考虑到时间框架，该节点使用高 NA 光刻技术将是有利的，英特尔计划在 2025 年开始使用这种光刻技术。
说到英特尔，英特尔的哪个节点将与台积电的 1.4 nm 竞争还有待观察。英特尔计划在 2025 年推出其 18A(18 埃)技术，因此到 2028 年，该公司将推出至少一种新的制造工艺。它将被称为 16A(因为英特尔最近似乎对节点进步持谨慎态度)还是 14A 将会很有趣。