希捷为存储控制器开发自己的RISCV内核

时间:2020-12-10 15:12:54来源:
导读 希捷本周 宣布 ,它已经开发了两个RISC-V通用内核,这些内核将用于多种应用,包括该公司即将推出的存储设备控制器,以及加速数据中心和服

希捷本周 宣布 ,它已经开发了两个RISC-V通用内核,这些内核将用于多种应用,包括该公司即将推出的存储设备控制器,以及加速数据中心和服务器的实时分析。在边缘。其中一个内核旨在提供高性能,而另一个则是面积和功耗优化。

硬盘驱动器(HDD)和固态驱动器(SSD)的控制器通常会打包多个通用内核,这些内核能够进行实时处理以解码信号,处理ECC算法或执行运动控制算法。由于3D NAND由于架构(每个单元更多的比特)和/或增量(更多的层)变化而获得密度,并且HDD盘片增加了其磁道密度,因此SSD和HDD控制器必须实时处理更多数据,这就是为什么对计算资源的需求正在增长。展望未来,随着存储处理的兴起,为存储设备供电的SoC将需要更大的计算能力。

希捷表示,去年它的处理器内核出货量接近10亿,鉴于目前的趋势,该数字很可能在未来只会增加。尽管Seagate并未详细说明其今天使用的内核,但我们可以推测出它们是现成的Arm内核。这些内核可提供满足当今需求的足够性能和功能,并且 下一代内核 将能够处理存储内处理工作负载。但是,希捷和Western Digital(也是RISC-V的采用者)选择开发自己的内核可能是出于三个原因。

首先,他们希望针对其特定需求量身定制其内核和片上系统(SoC),以使其产品与众不同并更快地实现新功能。其次,他们希望更好地控制其产品路线图,并且由于硅片近来变得越来越重要,因此自然而然地将其开发引入内部。第三,每年有十亿个内核,足以在财务上证明开发内部内核的合理性。

希捷的RISC-V产品组合

如今, 希捷的RISC-V产品组合 包括两个内核-高性能内核和区域/电源优化内核-针对不同的工作负载和应用程序。

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