在一年一度的技术日期间，三星透露了有关 DDR6、GDDR6+、GDDR7 和 HBM3 等下一代内存技术的新信息。
三星正在开发 DDR6 和 GDDR6+ 内存技术，还讨论了下一代 GPU 的 GDDR7 和 HBM3 标准
Computerbase设法从讨论下一代内存标准的三星那里获得了信息。内存设计的最新飞跃是 DDR5 的推出。该标准现已在英特尔第 12 代 Alder Lake 平台上启动并运行，虽然供应存在一些重大问题，但内存制造商并没有停止改进 DDR5。三星概述了在不久的将来 DDR5-6400 Mbps 的原生 JEDEC 速度和 DDR5-8500 Mbps 的超频模块速度。目前，内存制造商已经将最初生产的 DDR5 DIMM 的传输速度提高到 7000 Mbps，但随着时间的推移，这种情况会变得更好。进入DDR6，下一代内存标准据说已经在开发中，未来将取代DDR5。由于 DDR5 才刚刚推出，我们不应该指望 DDR6 至少要到 2025-2026+。DDR4 内存标准与我们保持了至少 6 年，因此我们应该期待 DDR6 的发布时间相同。
我们知道，一些制造商已经为未来的 DDR5 DIMM 提供了高达 12000 Mbps 的传输速度，因此我们可以预期 DDR6 在其最精致的状态下很容易突破 20K Mbps 的障碍。与 DDR5 内存相比，DDR6 将具有四个 16 位内存通道，总共 64 个内存条。
具有 24 Gbps 的 GDDR6+ 和具有 32 Gbps 的 GDDR7 用于下一代 GPU
三星还透露了其提供更快 GDDR6+ 标准的计划，该标准将取代现有的 GDDR6 芯片。目前，美光是唯一一家采用GDDR6X 标准设计 21 Gbps+ 图形内存的公司。GDDR6+ 不仅仅是提高带宽，更像是对 GDDR6 的改进。据说它的速度高达 24 Gbps，并将成为下一代 GPU 的一部分。这将允许具有 320/352/384 位总线布局的 GPU 达到超过 1 TB/s 的带宽，而 256 位 GPU 将能够达到高达 768 GB/s 的带宽。