导读 今天，最受欢迎的微博博客之一表示，明年的高通Snapdragon，HiSilicon Kirin，三星Exynos和联发科Dimensity主要旗舰芯片和中端芯片都将采
今天，最受欢迎的微博博客之一表示，明年的高通Snapdragon，HiSilicon Kirin，三星Exynos和联发科Dimensity主要旗舰芯片和中端芯片都将采用1 + 3 + 4架构设计。
至于高通，已经有很多报道。他们声称即将推出的旗舰芯片将使用“ 1 + 3 + 4”八核设计。具体来说，它将拥有一个2.84GHz超大内核Cortex X1，三个2.42GHz A78内核和四个1.8GHz A55内核。从之前泄露的跑步成绩测试来看，Snapdragon 875仍将保持Android SoC的第一梯队的性能。至于Snapdragon 885，我们甚至都无法想象它会带来什么功能。因此，最有可能的是，博客作者正在谈论Snapdragon875。该芯片预计将于12月1日正式发布。
至于海思，虽然目前尚不清楚未来的调度和命名信息，但海思很可能会继续迭代推出新的麒麟芯片，例如麒麟10000。不考虑成品的制造和架构设计也应该属于第一梯队级别。
在三星方面，Exynos 2100的性能表明该芯片不一定会在同一时期内输给其他产品。尽管以前的大多数新闻都将Snapdragon 875视为采用ARM Cortex-X1内核的这一代产品中的唯一产品，但后来可靠消息人士称Exynos 2100也将使用ARM Cortex-X1架构。此外，E2100还将集成具有14个图形内核的ARM Mali-G78 GPU。因此性能值得期待。