第三代10nm1z级制造工艺批量生产16吉比特LPDDR5RAM芯片

时间:2020-11-01 15:33:09来源:
导读 此前,三星宣布了计划采用第三代10nm 1z级制造工艺批量生产16吉比特LPDDR5 RAM芯片。该公司已确认已在其韩国平泽工厂开设了一条新生产线

此前,三星宣布了计划采用第三代10nm 1z级制造工艺批量生产16吉比特LPDDR5 RAM芯片。

该公司已确认已在其韩国平泽工厂开设了一条新生产线,以开始批量生产新的RAM。DRAM产品和技术执行副总裁Jung-bae Lee表示,该存储器将为智能手机开发商和制造商打开新的大门。

据三星称,新内存,将提供有史以来最快的速度和最大的容量。三星表示,新的LPDDR5内存将以6400Mbps的速度传输数据,这比Galaxy Note 20的LPDDR5内存快16%。

新内存的主体将变薄30%,这意味着它将占用智能手机中更少的空间。预计此类内存将在三星Galaxy S21(S30)中首次亮相,并且还将出现在其他制造商的旗舰智能手机中。三星已经确认,不仅限于在手机中使用此内存。

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