导读CeRAM利用已知存在于碳掺杂的过渡金属氧化物(TMO)材料中的量子相变，该过渡由于电压和电流引起的围绕每个金属离子的电子轨道占有率的偏移而
CeRAM利用已知存在于碳掺杂的过渡金属氧化物(TMO)材料中的量子相变，该过渡由于电压和电流引起的围绕每个金属离子的电子轨道占有率的偏移而在电阻中产生巨大变化。
在其他地方开发的其他基于TMO的电阻式存储器依赖于存储元件中导电细丝的形成和破裂，这种机制已被证明很难可靠地控制在先进的几何结构上。
由于其量子机制具有强大的非易失性存储能力，CeRAM具有从高温(4000C)到较低温度(<20K)的强大存储能力，并且是第一个在此宽温度范围内运行而不会退化的存储器。
编程电压分别为0.6v和1.2v且读取电压低于0.2v时，功耗非常小(使用不同的TMO演示了更低的电压)。
读取耐力循环超过1012个循环。CeRAM技术是通过与比利时IMEC的合同开发而准备的，该技术可在300mm工具上进行先进制造，并具有与14nm以下CMOS工艺节点兼容的工艺集成。
Symetrix由科罗拉多斯普林斯市科罗拉多大学的Carlos Paz de Araujo教授领导，以前开发并介绍了铁电随机存取(FeRAM)存储器，该存储器已被其被许可人成功地商业化。
在与Cerfe Labs的联合开发下，Symetrix将继续开发基于新型材料和存储元件设计的铁电场效应晶体管(FeFET)。Symetrix将与Cerfe Labs一起宣布一种FeFET，该FeFET可以在3500-4000退火，这是对深层技术节点的要求，并且可以在不到目前正在开发的FeFET的10%的电场下工作。