英飞凌在系列中增加了三款采用D²PAK7pin封装的器件

时间:2020-05-13 16:47:01来源:
导读这些组件具有低RDS(on)和高载流能力,从而为要求高效率的高功率密度应用提高了鲁棒性和可靠性。这三款新的MOSFET针对电池供电的应用,包括

这些组件具有低RDS(on)和高载流能力,从而为要求高效率的高功率密度应用提高了鲁棒性和可靠性。

这三款新的MOSFET针对电池供电的应用,包括电池供电的工具,电池管理系统和低压驱动器。

新的D²PAK7pin +封装扩展了已有的StrongIRFET™封装。这种扩展进一步增强了针对许多设计挑战选择理想功率器件的选择。

此外,新封装的可互换引脚排列选项可实现无与伦比的设计灵活性。与标准D²PAK7pin封装相比,新系列与上一代器件相比,其RDS(on)降低了13%,载流能力提高了50%。

例如,基准IRL40SC240是40 V器件,其RDS(on)为0.65mΩ,载流能力为360A。

该封装经过优化,可容纳面积增加多达20%的管芯,同时共享与标准D²PAK7引脚相同的封装和引脚。因此,它可以轻松替代传统的D²PAK7pin和H²PAK封装。此外,该产品系列提供普通级和逻辑级栅极驱动器,为设计人员提供了灵活的驱动方案。

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